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RQ3E100MNTB1  与  BSZ130N03LS G  区别

型号 RQ3E100MNTB1 BSZ130N03LS G
唯样编号 A3x-RQ3E100MNTB1 A-BSZ130N03LS G
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 8.8mΩ 13mΩ@20A,10V
上升时间 17ns -
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2W 2.1W(Ta),25W(Tc)
Qg-栅极电荷 9.9nC -
栅极电压Vgs 2.5V ±20V
典型关闭延迟时间 31ns -
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 HSMT-8 PG-TSDSON-8
连续漏极电流Id 10A 10A(Ta),35A(Tc)
工作温度 - -55°C~150°C(TJ)
通道数量 1Channel -
配置 Single -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
下降时间 6ns -
典型接通延迟时间 7ns -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 970pF @ 15V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 13nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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40: ¥1.419
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